聚酯帶廠家分析氟塑料電纜成型特點(diǎn)及工藝

　　用作氟塑料絕緣電線的絕緣材料主要有聚四氟乙烯PTFE、聚全氟乙丙烯FEP以及其它氟塑料，根據(jù)不同氟塑料的加工特點(diǎn)，一般采用以下三種加工工藝。

1、熱擠工藝 

　　當(dāng)擠出機(jī)內(nèi)部機(jī)筒溫度達(dá)到350°C----390°C左右時(shí)，把F46氟塑料加入料斗，利用螺桿旋轉(zhuǎn)的推力，通過(guò)成型模具均勻連續(xù)的包覆在導(dǎo)電線芯上，冷卻后定型。此方法用Φ30、Φ60、Φ90等高溫塑料擠出機(jī)，常生產(chǎn)F46型、F40型等氟塑料絕緣產(chǎn)品。 

2、推擠工藝 

　　把粉狀的聚四氟乙烯塑料預(yù)壓成筒型，放人機(jī)筒，利用活塞推力，通過(guò)成型模具均勻連續(xù)的包覆在導(dǎo)電線芯上，然后進(jìn)行380。C的高溫?zé)Y(jié)，冷卻后定型。此方法用F4推壓機(jī)，生產(chǎn)F4(PTFE)型產(chǎn)品。

3、繞包工藝 

　　用切成一定寬度的聚四氟乙烯薄膜帶繞包到線芯上，然后進(jìn)行燒結(jié)定型。此方法用繞包機(jī)及燒結(jié)爐，通常生產(chǎn)AFR型、FSFB型等電線。 

4、氟塑料擠出工藝的發(fā)展： 

　　PTFE不能熔融擠出，必須通過(guò)薄膜繞包或糊狀擠出來(lái)生產(chǎn)電線電纜，需使用專(zhuān)門(mén)設(shè)備，設(shè)備復(fù)雜，工藝流程長(zhǎng)，且生產(chǎn)是間歇性的，生產(chǎn)速度也受限制。因此開(kāi)發(fā)可熔融擠出的氟塑料一直是高分子界的重大課題。 FEP是首先開(kāi)發(fā)成功的可熔融擠出氟塑料。它幾乎保持了PTFE的所有優(yōu)異性能，至今仍是除PTFE外使用最為廣泛、用量最大的含氟塑料。 FEP的連續(xù)使用溫度為200℃，PFA的成功開(kāi)發(fā)才真正有了可在250℃下使用的熔融擠出氟塑料，但價(jià)格昂貴。 ETFE、PVDF，在基本保持了PTFE的各種性能下，阻燃帶以他們比重小、強(qiáng)度大、耐輻照三大優(yōu)勢(shì)在含氟塑料中嶄露頭角，且在電線電纜中也獲得了廣泛應(yīng)用。

5、氟塑料擠出設(shè)備：

　　除PVDF允許用一般擠出機(jī)擠出電線外，其他各種氟塑料都要用高溫?cái)D出機(jī)生產(chǎn)電線電纜。 熔融氟樹(shù)脂用高溫?cái)D出機(jī)的要求： 有足夠的加熱功率，確保高溫（例如450 ℃左右）條件下樹(shù)脂能夠熔融擠出； 與熔體接觸的部件：螺桿、螺膛、機(jī)頭及其組件、模具等，都要用高溫耐腐蝕合金，如鎳基合金（包括國(guó)內(nèi)的新三號(hào)鋼），主要是由于擠出過(guò)程中可能產(chǎn)生的HF等含氟氣體具有很強(qiáng)的腐蝕性。 

6、氟塑料擠出材料：

　　與不同氟塑料有不同的使用溫度一樣，導(dǎo)體也需不同的適用溫度?？紤]到擠出時(shí)可能產(chǎn)生的氣體對(duì)導(dǎo)體的腐蝕，氟塑料電線電纜幾乎都使用鍍銀、鍍錫、鍍鎳等鍍復(fù)導(dǎo)體。電線電纜研究、生產(chǎn)者應(yīng)根據(jù)電線電纜用戶的需要，正確選擇導(dǎo)體和絕緣材料，既要滿足客戶要求，又要讓絕緣材料用得恰到好處。因此，應(yīng)熟悉、掌握各種氟塑料的特性。

7、氟塑料擠出工藝：

　　含氟塑料熔體的熔融粘度極大，不宜采用"壓力式"擠出（否則會(huì)對(duì)設(shè)備提出太苛刻的要求）；但熔體有足夠的強(qiáng)度，允許拉伸，所以幾乎都是采用"套管式"擠出來(lái)生產(chǎn)電線電纜，通過(guò)控制合理的拉伸系數(shù)保證絕緣與導(dǎo)體間的粘結(jié)力。 "套管式"擠出中，模具的設(shè)計(jì)或生產(chǎn)中的"配模"，都應(yīng)保證DDR、DBR兩個(gè)參數(shù)之值在擠出材料允許的合理范圍之內(nèi)。

　　DBR稱(chēng)之為（平衡）拉伸系數(shù)（拉伸度），表示外層熔體與內(nèi)層熔體受拉伸程度的比。 DDR稱(chēng)之為拉伸比（配模比），表示拉伸程度或允許生產(chǎn)速度。 DDR、DBR都是材料參數(shù)，DDR、DBR允許值越大，評(píng)價(jià)為材料擠出工藝好。 不同材料，DDR、DBR不一樣；同種材料，牌號(hào)不同（MI不同），DDR、DBR也不一樣。不同材料、不同牌號(hào)的這兩個(gè)參數(shù)及其允許范圍，線纜研究、生產(chǎn)者必須掌握。 作為其性，MI越大，DDR、DBR允許較大；絕緣擠出的DBR、DDR比護(hù)套擠出時(shí)大。